2024年8月25日，中國科學院院士、微電子學領域權威專家郝躍院士蒞臨鍇威特進行考察指導。此次訪問不僅體現了郝躍院士對蘇州半導體產業發展的高度關注，也為鍇威特半導體在技術創新和產業發展上提供了新的思路與方向。

郝躍院士作為微電子學領域的領軍人物，長期從事新型寬禁帶半導體材料和器件、微納米半導體器件與高可靠集成電路等方面的科學研究與人才培養，是國家重大基礎研究(973)計劃項目首席科學家、國家有突出貢獻的中青年專家和微電子技術領域的著名專家。他在碳化硅SiC第三代(寬禁帶)及氧化鎵第四代半導體功能材料和微波米波器件、半導體照明短波長光電材料與器件研究和應用、微納米CMOS器件可靠性與失效機理研究等方面取得了系統的創新成果。

在董事長丁國華先生的陪同下，郝院士實地參觀考察了鍇威特公司展廳、實驗室等重要場所，深入了解了公司最新的發展情況、公司規模、研發能力以及市場應用情況。通過丁總的介紹，郝躍院士高度肯定了鍇威特在功率半導體領域所取得的成就，并對公司的未來發展寄予厚望。

訪問期間，郝躍院士與董事長丁國華進行了深入交流，共同探討了第三代半導體材料特別是SiC(碳化硅)功率器件的技術發展、市場應用以及面臨的挑戰與機遇。盡管SiC功率器件在電力電子、新能源汽車、工業、高可靠等多個領域展現出巨大的應用潛力，但其在發展過程中仍面臨著復雜的工藝技術、較高的成本以及封裝技術的適配等問題。未來，SiC功率器件還需不斷突破技術瓶頸、降低生產成本以及提升市場接受度。郝院士希望鍇威特繼續深耕細作，加強與高校、科研院所及產業鏈上下游企業的合作，共同推動第三代半導體技術的應用創新。

此次郝躍院士的到訪為鍇威特帶來了新的發展動力和方向。在第三代半導體的發展道路上，鍇威特將繼續秉承創新精神，加大科研投入，不斷突破技術難題，為推動國家半導體產業的自主可控貢獻自己的力量。同時，也期待與業界同仁攜手共進，共同迎接SiC功率器件更加輝煌的未來。